Enviar mensaje
Hogar > Products > Productos semiconductores discretos > Productos semiconductores discretos de Infineon IRF2807PBF Canal N

Productos semiconductores discretos de Infineon IRF2807PBF Canal N

Categoría:
Productos semiconductores discretos
Forma de pago:
LC, T/T, Western Union, MoneyGram, Panply
Especificaciones
Número de modelo:
IRF2807PBF
Descripción/Paquete:
MOSFET MOSFET 75V 82A 13mOhm 106.7nC
Garantía:
180 días
Calidad:
100% originales 100% marca
Envío por:
China Post/DHL/FEDEX/UPS/TNT/DPEX/KAS
Descripción:
Lista de lista de materiales Cotización
Tiempo de espera:
1-3 días laborables
ROHS:
Condición:
Componentes electrónicos
Escribe:
CI
Alta luz:

Productos semiconductores discretos de Infineon

,

Productos semiconductores discretos IRF2807PBF

,

IRF2807PBF

Introducción

MOSFET IC de los componentes electrónicos de los chips IC del circuito integrado IRF2807PBF

 

DESCRIPCIÓN DEL PRODUCTO

 

Número de parte #IRF2807PBFes fabricado porInfineonTechnologies y distribuido por Jalixin.Como uno de los principales distribuidores de productos electrónicos, contamos con muchos componentes electrónicos de los principales fabricantes del mundo.

Para más información sobreIRF2807PBFespecificaciones detalladas, cotizaciones, plazos de entrega, condiciones de pago y más, no dude en contactarnos.Para procesar su consulta, agregue la cantidadIRF2807PBFa tu mensaje.Envíe un correo electrónico a andy@szjialixin.com para obtener una cotización ahora.

 

 

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

 

Fabricante: Infineon
Categoria de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: A través del orificio
Paquete / Caja: TO-220-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 75 V
Id - Corriente de drenaje continua: 82A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 13 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 2 voltios
Qg - Carga de puerta: 106,7 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175C
Pd - Disipación de potencia: 200W
Modo de canal: Mejora
Embalaje: Tubo
Marca: Tecnologías de Infineon
Configuración: Único
Altura: 15,65 mm
Longitud: 10mm
Tipo de producto: MOSFET
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Ancho: 4,4 mm
Alias ​​de parte #: IRF2807PBF SP001550978
Unidad de peso: 0,068784 onzas

 

 

 

Productos semiconductores discretos de Infineon IRF2807PBF Canal N

Productos semiconductores discretos de Infineon IRF2807PBF Canal N

Preguntas más frecuentes

 

1. ¿Quiénes somos?
JIALIXIN se estableció en 2010, hay 12 años de experiencia en el suministro de componentes electrónicos, incluidos 10 años de experiencia para ofrecer el servicio de BOM Kitting.

2. ¿Cómo podemos garantizar la calidad?
Nuestra empresa tiene un departamento de control de calidad especial y tenemos una máquina de prueba profesional para probar.Tomaremos fotos de usted y enviaremos documentos a los clientes antes del envío.Nuestros productos son todos de agencia o fuente original, y serán revisados ​​antes del envío.

3. ¿Proporcionan el servicio de listado de listas de materiales?
SÍ, claro, contáctenos y envíenos su BOM, verificaremos el mejor precio para usted. JIALIXIN 10 años de experiencia para ofrecer el servicio de BOM Kitting.

4. ¿Por qué debería comprarnos a nosotros y no a otros proveedores?
1) Ventaja puntual, tenemos almacenes que pueden satisfacer las necesidades de materiales que se necesitan con urgencia.
2) ventaja de la agencia, cooperamos con agentes autorizados.Para algunos materiales solicitados a largo plazo, envíenos el precio objetivo para la aplicación y podemos negociar con el agente para organizar los pedidos.

 

 

 

 

Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs